研究目的
研究II型AlInN/ZnGeN2量子阱在紫外激光二极管中的应用潜力,重点关注自发辐射和增益特性。
研究成果
II型AlInN/ZnGeN2量子阱结构显著增强了空穴载流子限制、电子-空穴波函数重叠、自发辐射速率和材料增益,同时降低了阈值载流子密度和电流密度,使其适用于紫外激光二极管。
研究不足
该研究是理论性的,未考虑活性区域中元素种类可能发生的相互扩散,而这种扩散可能会影响电子特性。
研究目的
研究II型AlInN/ZnGeN2量子阱在紫外激光二极管中的应用潜力,重点关注自发辐射和增益特性。
研究成果
II型AlInN/ZnGeN2量子阱结构显著增强了空穴载流子限制、电子-空穴波函数重叠、自发辐射速率和材料增益,同时降低了阈值载流子密度和电流密度,使其适用于紫外激光二极管。
研究不足
该研究是理论性的,未考虑活性区域中元素种类可能发生的相互扩散,而这种扩散可能会影响电子特性。
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