研究目的
开发一种直接研究量子级联激光器(QCL)内施加电压分布的技术,并分析激光器包层和激光器核心区域的电势分布。
研究成果
开发的开尔文探针力显微镜技术为量子级联激光器内部的电压分布提供了重要见解,揭示了设计和制造缺陷。采用AlInP包层的GaAs基量子级联激光器显示出非均匀的电势分布,而InP基量子级联激光器则表现出更可预测的激光核心区压降。该方法对优化量子级联激光器设计和外延生长技术具有重要价值。
研究不足
该研究仅限于两种特定的量子级联激光器结构,可能无法推广至所有量子级联激光器设计。该技术需要精确控制实验条件,且可能受到表面态和电荷积累的影响。
1:实验设计与方法选择:
本研究采用梯度扫描开尔文探针力显微镜(KPFM)测量两种中红外量子级联激光器解理面间的电势分布。
2:样本选择与数据来源:
研究了两类量子级联激光器结构——采用InP包层的InGaAs/InAlAs器件与采用AlInP包层的GaAs/AlGaAs器件。
3:实验设备与材料清单:
使用NT-MDT NTegra Aura原子力显微镜系统进行振幅调制梯度扫描开尔文探针力显微镜(AM-GKPFM)测量,选用未涂层高掺杂n型硅NSG11悬臂梁进行测试。
4:实验流程与操作规范:
测量在室温及低压环境(约0.1毫巴)下进行。KPFM实验所用解理脊形器件尺寸为:MR2790晶圆样品长0.27毫米、宽20微米;MR2449晶圆样品长2毫米、宽20微米。
5:1毫巴)下进行。KPFM实验所用解理脊形器件尺寸为:
5. 数据分析方法:通过分析接触电势差分布曲线,解析量子级联激光器结构中的电压分布特征。
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