研究目的
研究GaAsNBi球形量子点的静水压力依赖性光电特性。
研究成果
该研究表明，通过控制静水压和铋浓度可调节GaAsNBi球形量子点的带隙，这对光电器件应用具有重要意义。研究还分析了双轴应变与静水应变下的应变分布及晶格失配情况，显示出光电器件选择性频率工作的潜力。
研究不足
该研究是理论性的，未涉及实验验证。其局限性包括理论模型中的假设以及缺乏用于验证研究结果的实验数据。
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GaAsNBi球形量子点的静水压力依赖性光电特性研究
DOI：10.1016/j.mssp.2020.104947
期刊：Materials Science in Semiconductor Processing
出版年份：2020
更新时间：2025-09-16 10:30:52
摘要：
采用16带k·p模型并考虑主体材料价带（VB）与N、Bi相关共振杂质能级之间的带反交叉（BAC）相互作用，在静水压作用下计算了GaAsNBi球形量子点（QDs）的电子能带结构。当氮含量固定为2.3%时，带隙随不同Bi浓度呈线性变化，而随压力变化呈非线性变化。不过价带偏移（VBO）差异较小，随着静水压增大，导带偏移（CBO）变化更为显著，这意味着载流子受到更强的约束。最后，我们还研究了GaAsNBi球形量子点沿径向的应变分布百分比及其相关特性，以及双轴和静水应变下的晶格失配。这些量子点还可通过调节特定摩尔分数和压力，应用于包括光电器件选择性频率操作在内的诸多领域。
作者：
Arvind Sharma，T.D. Das
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