研究目的
研究利用局部氧化技术制备基于硅p-n二极管的电光调制器，以提高设计参数重现性和表面光滑度。
研究成果
局部氧化技术能有效制备出具有可重复设计参数、低表面粗糙度及高击穿电压的硅电光调制器，在某些应用中较PCE更具优势。
研究不足
该研究聚焦于调制器的形成及结构参数，光学性能虽有提及但未深入分析。与PCE的对比凸显了优势，但可能未涵盖局部氧化的所有潜在缺陷。
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基于硅p-n结二极管的电光调制器
DOI：10.3103/S8756699019050029
期刊：Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing
出版年份：2019
更新时间：2025-09-19 17:13:59
摘要：
测试了一种利用局部氧化形成基于p-n二极管的硅电光调制器的方法。研究表明，与通过等离子体化学刻蚀创建脊形波导的经典技术相比，硅的局部氧化能够形成平滑梯形的脊形波导。该方法的主要优势在于：可精确控制并稳定复现调制器的关键设计参数（波导脊的宽度和高度）、表面粗糙度低，以及可采用平面工艺标准方法在脊形波导中形成复合型调制p-n二极管。
作者：
O. V. Naumova，B. I. Fomina，Yu. A. Zhivodkova，E. G. Zaitseva，D. V. Shcheglov，A. V. Latyshev
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