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基于砷化镓的激光二极管，采用铟镓砷波导量子阱

DOI：10.1134/S1063782619160085 期刊：Semiconductors 出版年份：2019 更新时间：2025-09-19 17:13:59
摘要： 研究了一种基于GaAs、采用InGaAs波导量子阱的电泵浦室温工作激光器，结果显示：最小激射阈值电流为15安培，实现了波长1010纳米的稳定激射，且垂直于结构层平面的辐射光束发散角为(10±2)度。
作者： N. V. Dikareva，B. N. Zvonkov，I. V. Samartsev，S. M. Nekorkin，N. V. Baidus，A. A. Dubinov
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

研究基于砷化镓、采用铟镓砷波导量子阱结构、在室温电泵浦模式下工作的激光器特性。

研究成果

对采用InGaAs波导量子阱的GaAs异质结激光器进行的实验研究表明，在电泵浦模式下于室温工作时，其阈值电流显著降低，且激光束在与结构层垂直平面内的发散角减小。这类激光二极管的显著特点是阈值电流大幅降低，同时在与结构层垂直平面内的激光束发散角减小。

研究不足

此类激光器的研发面临诸多难题，其中最关键的是因光学限制因子较小和波导损耗较大而导致的阈值电流问题。这类异质结的生长条件和参数需满足严苛要求。

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