研究目的
综述二维材料(2DMs)除石墨烯外在光子忆阻器应用中的最新进展,包括其在光子突触和模式识别中的应用,并探讨实现商业化可行的2DMs光子忆阻器所面临的挑战及实现路径。
研究成果
该综述总结指出,在展示基于二维材料的新型光子忆阻器与突触器件潜力方面已取得显著进展。然而,要提升其实际应用性能仍面临挑战。持续优化材料生长、制备工艺及器件结构对实现二维材料基光子忆阻器和突触器件的商业化至关重要。
研究不足
这些挑战包括提升器件性能以满足实际应用需求,例如低工作电压、低功耗、高运行速度和高耐久性。同时还需要可扩展的制造工艺和器件变异工程。