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a-Si:H/i-a-Si:H/p+a-SiGe:H 渐变带隙单结太阳能电池

DOI:10.1016/j.rinp.2020.102940 期刊:Results in Physics 出版年份:2020 更新时间:2025-09-19 17:13:59
摘要: 本文提出了一种采用重磷掺杂非晶硅、本征非晶硅和重硼掺杂非晶硅锗的单结渐变带隙薄膜太阳能电池。研究首先对所推荐的SC、OC、暗态及AM 1.5G标准光照条件下的光伏结构J-V特性进行了严格分析,随后利用SCAPS1D太阳模拟器对n+aSi:H/i aSi:H/p+aSiGe:H太阳能电池结构的活性层厚度进行了优化,所得电池活性层总厚度仅430纳米。低活性层厚度和无多结设计降低了材料需求、复杂度及成本。研究还完成了各功能层的制备及其表征总结,最终制备验证了该结构的J-V特性。所制电池短路电流密度(Jsc)达11.67 mA/cm2,开路电压(Voc)为1.18 V,填充因子(FF)0.857,转换效率(η)11.80%,与其他已报道单结非晶硅太阳能电池性能相当。本研究首次报道了采用不同掺杂水平的aSi:H与aSiGe:H合金组合实现单结渐变带隙太阳能电池,在保持紧凑轻量优势的同时获得了更优的转换效率。
作者: J. Fatima Rasheed,V. Suresh Babu
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研究概述 实验方案 设备清单

研究采用重磷掺杂非晶硅、本征非晶硅和重硼掺杂非晶硅锗的单结渐变带隙薄膜太阳能电池的性能。

所提出的单结渐变带隙太阳能电池采用不同掺杂水平的aSi:H和aSiGe:H合金组合,实现了11.80%的转换效率,这一性能与其他单结非晶硅太阳能电池具有竞争力。该结构具有材料需求低、复杂度小且不含毒性材料的优势,使其成为光伏应用中的可行选择。

该研究聚焦于特定类型的太阳能电池结构,可能并不直接适用于其他类型。实验验证仅限于所制备的样品及所述条件。

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