研究目的
开发脉冲激光沉积技术以制备高质量硒硫化锑薄膜，用于高效太阳能电池。
研究成果
PLD方法能有效制备组分可调的Sb2(SxSe1-x)3薄膜，使太阳能电池获得约1.45 eV的最佳带隙及7.05%的高光电转换效率。
研究不足
硫和硒的高蒸气压可能导致硒向Sb2(SxSe1-x)3的转化不完全，从而影响薄膜质量和器件性能。
1：实验设计与方法选择：
采用脉冲激光沉积（PLD）技术制备不同硒/硫比例的Sb2(SxSe1-x)3薄膜。
2：样品选择与数据来源：
以Sb2S3与Se混合靶材为原料。
3：实验设备与材料清单：
PLD装置、真空腔室组件、高能脉冲激光器、玻璃/FTO/CdS基底。
4：实验流程与操作步骤：
薄膜沉积时基底温度控制在400–450°C，退火温度为390°C。
5：数据分析方法：
XRD表征结晶性，SEM观察形貌，UV-vis吸收光谱分析光学性能，EDS测定成分，J-V测试评估光伏性能。
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pulsed laser deposition unit
Fabrication of Sb2(SxSe1(cid:2)x)3 thin films
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energy dispersive spectroscopy
Quantification of the composition of Sb2(SxSe1(cid:2)x)3 alloy films
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field emission scanning electron microscopy
Characterization of surface morphologies of Sb2(SxSe1(cid:2)x)3 films
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UV-vis absorption spectroscopy
Characterization of optical properties of Sb2(SxSe1(cid:2)x)3 thin films
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