研究目的
研究不同厚度VO2薄膜在绝缘体-金属转变过程中结构相变与电子相变之间的相互作用。
研究成果
材料在相变过程中的结构改变会影响渗流阈值附近金属团簇的形貌，从而导致局域等离子体共振吸收特性的变化。研究表明，基于椭圆偏振术并结合适当模型的非侵入式光学表征方法，能有效揭示材料微观结构变化的细节。
研究不足
该研究仅限于厚度在100至800纳米范围内的VO2薄膜。应变和晶界对相变的影响复杂且尚未完全明确。
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椭圆偏振法揭示VO?中电子与结构转变的相互作用
DOI：10.1116/1.5121903
期刊：Journal of Vacuum Science & Technology B
出版年份：2019
更新时间：2025-09-19 17:13:59
摘要：
通过结合原子力显微镜（AFM）研究，开展了不同厚度VO?薄膜在绝缘体-金属转变过程中的变温光谱椭偏测量，揭示了结构相变与电子相变之间的相互作用?；诟飨蛞煨圆悸掣衤行Ы橹式瓶蚣芏院旯酃庋煊凶酆戏治觯竦昧宋露妊饭讨薪鹗敉糯刂秃笮蚊惭荼浼敖峁瓜啾涞贾碌谋∧ご植诙缺浠?。研究表明：材料在转变过程中的结构改变会影响渗流阈值附近的金属团簇形貌，从而改变局域等离子体共振的吸收特性。AFM测量证实了这些结构变化，并可通过不同薄膜中存在的特殊应变予以解释。
作者：
Ievgen Voloshenko，Bruno Gompf，Audrey Berrier，Gabriel Schnoering，Florian Kuhl，Angelika Polity，Martin Dressel
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