研究目的
研究GaTe/InSe范德华异质结构在短波红外（SWIR）光电探测中的高性能表现，其性能超越了单独GaTe和InSe层的带隙限制。
研究成果
GaTe/InSe范德华异质结构在短波红外光谱中展现出卓越的探测率，这得益于II型能带排列引发的层间激子跃迁。该研究证明了二维层状材料范德华异质结构在突破单一材料能带隙限制方面，具备实现高性能光电子器件的潜力。
研究不足
该研究受限于需要对逐层转移过程进行精确控制以确保高质量异质结构。此外，器件性能可能受到温度和湿度等环境因素的影响。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用逐层干法转移技术制备GaTe/InSe范德华异质结构，并对其光电特性进行表征。
2：样品选择与数据来源：
通过生长块体GaTe和InSe单晶并进行机械剥离获得器件制备所需的薄片。
3：实验设备与材料清单：
设备包括半导体参数分析仪、光功率计、拉曼光谱仪、原子力显微镜（AFM）及多种光电特性测试激光器；材料包含GaTe与InSe薄片、Cr/Au电极以及用于转移的PDMS。
4：实验流程与操作步骤：
依次进行GaTe和InSe薄片的机械剥离、逐层转移形成异质结构、电极沉积及多波长光电特性测试。
5：数据分析方法：
基于测量的光电流与噪声谱数据，计算响应度、噪声等效功率（NEP）和比探测率（D*）。
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