研究目的
通过用In2S3替代有毒的CdS缓冲层，并采用化学蚀刻后退火的两步处理工艺去除污染层并钝化界面缺陷，从而提高柔性Sb2Se3太阳能电池的功率转换效率（PCE）。
研究成果
两步处理法通过去除污染层和钝化界面缺陷，显著提升了柔性Sb2Se3太阳能电池的功率转换效率（PCE），实现了5.35%的冠军效率。这证明了经过界面工程优化的无毒柔性Sb2Se3太阳能电池具有应用潜力。
研究不足
该研究受限于Sb2Se3技术发展的早期阶段，块体Sb2Se3质量需进一步优化，且需探索替代缓冲层和窗口层以降低串联电阻。
1：实验设计与方法选择：
该研究采用In2S3替代CdS作为缓冲层，并对Sb2Se3吸收层进行两步处理以提升太阳能电池性能。
2：样品选择与数据来源：
使用柔性钼箔衬底制备Sb2Se3太阳能电池。
3：实验设备与材料清单：
设备包括用于Sb2Se3沉积的气相传输沉积法(VTD)、In2S3的热蒸发法，以及i-ZnO和ITO层的溅射法。材料包含钼箔、Sb2Se3、In2S3、CdS、i-ZnO和ITO。
4：In2SCdS、i-ZnO和ITO。 实验流程与操作步骤：
4. 实验流程与操作步骤：工艺流程包括衬底制备、Sb2Se3沉积、表面处理（盐酸蚀刻与退火）、缓冲层沉积及窗口层溅射。
5：数据分析方法：
通过J-V特性测试、XPS、拉曼光谱及电容测量评估性能。
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