研究目的
报道采用铍离子注入法制备的InAs平面雪崩光电二极管（APD），实现了高增益且无显著隧穿电流及低表面漏电流的特性。
研究成果
采用铍离子注入工艺制备的平面型InAs雪崩光电二极管表现出低表面漏电流特性，在200K温度、-26V偏压下实现了330倍的高增益。该平面制造工艺能良好控制表面状态并保持低本底掺杂，使这些APD性能可与最先进的HgCdTe APD相媲美。
研究不足
在低温或小型器件中，表面漏电现象较为显著，且背景掺杂的来源尚未确定。
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[IEEE 2019年光子学与电磁学研究秋季研讨会（PIERS - Fall）- 中国厦门（2019.12.17-2019.12.20）] 2019光子学与电磁学研究秋季研讨会（PIERS - Fall）- 高平均功率皮秒掺铥全光纤放大器
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[IEEE 2019年光子学与电磁学研究秋季研讨会（PIERS - Fall）- 中国厦门（2019.12.17-2019.12.20）] 2019光子学与电磁学研究秋季研讨会（PIERS - Fall）- 高平均功率皮秒掺铥全光纤放大器
DOI：10.1109/piers-fall48861.2019.9021443
出版年份：2019
更新时间：2025-09-19 17:13:59
摘要：
我们报道了采用铍离子注入法制备的InAs平面雪崩光电二极管(APD)。该平面APD具有2×101? cm?3的低本底掺杂浓度和接近8微米的大耗尽宽度。在200K温度下施加-26V电压时，这种厚耗尽结构实现了330倍增益且未引发显著隧穿电流。器件内部未观测到边缘击穿现象。表面漏电流较低，在200K温度、-20V偏压下其增益归一化暗电流密度仅为400 μA/cm2。
作者：
Benjamin S. White，Ian C. Sandall，Xinxin Zhou，Andrey Krysa，Kenneth McEwan，John P. R. David，Chee Hing Tan
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