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[IEEE 2019年春季光子学与电磁学研究研讨会（PIERS-Spring） - 意大利罗马（2019.6.17-2019.6.20）] 2019年春季光子学与电磁学研究研讨会（PIERS-Spring） - 亚THz SiGe压控振荡器的电磁特性表征与设计笔记

DOI：10.1109/piers-spring46901.2019.9017622 出版年份：2019 更新时间：2025-09-19 17:13:59
摘要： 本文介绍了一种基于推挽架构、采用科耳皮兹型振荡器实现的亚太赫兹压控振荡器(VCO)的电磁特性及部分设计要点。该电路工作在0.192 GHz和0.384 THz双频段，采用IHP代工厂提供的130 nm SiGe双极工艺制造。
作者： H. Bello，L. Pantoli，J. Yun，D. Kissinger，G. Leuzzi
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

研究基于推挽架构的亚太赫兹压控振荡器（VCO）在太赫兹应用中的电磁特性表征与设计方法。

研究成果

所提出的设计方法成功实现了一种可调谐亚太赫兹信号源，其基频为192 GHz，推推结构为384 GHz，在两个输出端口分别实现了7.6 dBm和-7 dBm的峰值输出功率，调谐范围约为6.2%，在1 MHz频偏处的相位噪声约为80 dBc。

研究不足

该设计面临输出功率低、调谐范围差、稳定性问题、相位噪声大以及芯片尺寸等挑战。由于晶体管指数量增加导致基极电阻增大，工艺技术限制了最大振荡频率。

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