研究目的
提出基于两个阻变存储器（RRAM）器件耦合的新型物理随机数生成（RNG）电路?？?，无需进行概率跟踪。
研究成果
该论文提出了三种基于RRAM开关变异性实现无偏随机数生成器的新概念，展示了RRAM技术在未来的片上随机数生成应用中的潜力。随机性测试结果支持采用双RRAM方案来生成具有高熵质量和高吞吐量的真随机数。
研究不足
该研究承认需要对冯·诺依曼校正来提高随机数生成器输出的随机性，这会在随机数生成器电路的控制器逻辑方面引入额外的复杂性。
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[2019年IEEE第十三届国际专用集成电路会议(ASICON) - 中国重庆 (2019.10.29-2019.11.1)] 2019 IEEE第十三届国际专用集成电路会议(ASICON) - 基于FPGA的63.3皮秒TDC测量系统在脉冲激光测距中的应用
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DOI：10.1109/ASICON47005.2019.8983652
出版年份：2019
更新时间：2025-09-19 17:13:59
摘要：
阻变存储器（RRAM）因其相对较低的成本和较高的性能，目前正被考虑用作快速非易失性存储器。RRAM可靠性的一个关键问题是随机开关现象，该现象会因分布展宽而影响数字存储器的运行。另一方面，随机行为为某些计算任务（如物理不可克隆功能（PUF）和随机数生成（RNG））提供了实现机制。本文基于两个RRAM器件的耦合，提出了一种新的物理随机数发生器电路?？?。双电阻方案无需进行概率跟踪——即无需通过调节工作电压来调整0和1的生成概率。在三种提出的方案中，有一种方案的概率测试已获成功。
作者：
Simone Balatti，Stefano Ambrogio，Roberto Carboni，Valerio Milo，Zhongqiang Wang，Alessandro Calderoni，Nirmal Ramaswamy，Daniele Ielmini
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