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[IEEE 2018年第11届英欧中毫米波与太赫兹技术研讨会(UCMMT) - 中国杭州 (2018.9.5-2018.9.7)] 2018年第11届英欧中毫米波与太赫兹技术研讨会(UCMMT) - 偶极子天线输入阻抗的高效计算

DOI：10.1109/ucmmt45316.2018.9015796 出版年份：2018 更新时间：2025-09-19 17:13:59
摘要： 本文提出了一种检测微机电系统（MEMS）面内位移的新方法，其精度达到了前所未有的亚埃级。我们采用光谱分析中常用的曲线拟合方法来定位谱峰位置，通过光学显微镜CCD相机采集硅梁图像的强度分布曲线进行函数拟合。该方法的定位分辨率取决于像素噪声量以及移动特征在探测器像素上的分布范围，通常受光子散粒噪声限制——该噪声可通过多种方式进行调控降低。为验证该技术，我们测量了两个硅表面的粘附脱离现象，并采用两种不同硅基MEMS器件及实验性超纳米晶金刚石器件评估其精度。报道的最低位置噪声是通过叠加1577条图像线获得的，其均方根值低至60皮米[2014-0040]。
作者： Jaap Kokorian，Federico Buja，Willem Merlijn van Spengen
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

提出一种检测微机电系统（MEMS）面内位移的新方法，其精度达到前所未有的亚埃级。

研究成果

该技术通过光学显微镜和CCD相机对硅梁成像的强度分布进行移位样条函数拟合，实现了0.6埃的面内位移分辨率。该分辨率强烈依赖于图像的信噪比，其中光子散粒噪声是限制因素。

研究不足

分辨率通常受光子散粒噪声的限制，而这种噪声可以通过多种方法加以控制和降低。

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