研究目的
提出一种检测微机电系统（MEMS）面内位移的新方法，其精度达到前所未有的亚埃级。
研究成果
该技术通过在光学显微镜和CCD相机拍摄的硅梁强度剖面上拟合平移样条函数，实现了0.6 ?的面内位移分辨率。该分辨率强烈依赖于图像的信噪比，其中光子散粒噪声是限制因素。
研究不足
分辨率通常受光子散粒噪声的限制，而这种噪声可以通过多种方法加以控制和降低。
该方法采用曲线拟合技术确定光谱中的峰值位置，通过将函数拟合至光学显微镜CCD相机拍摄的硅束图像强度分布来分析。通过测量两个硅表面的粘附剥离现象，并利用两种不同的硅微机电系统器件及一个实验性超纳米晶金刚石器件来评估位置分辨率。
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Motic PSM-1000 optical microscope
PSM-1000
Motic
Used for imaging the MEMS devices.
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Motic ULWD50x objective
ULWD50x
Motic
Used for magnification in the optical microscope.
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Motic MLC150C halogen cold light source
MLC150C
Motic
Used for illuminating the sample through the microscope objective.
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Apogee Alta F4000 interline-scan CCD camera
Alta F4000
Apogee
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