摘要： 近期，开发用于光电子应用的Bi3?激活发光材料日益受到关注。本研究通过碱土金属阳离子取代策略，合成了具有可调光学特性的新型黄/橙色发光ABZn?Ga?O?:Bi3?（ABZGO，A=Ca、Sr；B=Ba、Sr）荧光粉。当Sr2?取代Ca2?和Ba2?时，激发波长从325 nm红移至363 nm，与近紫外芯片基WLEDs良好匹配。CaBaZn?Ga?O?:0.01Bi3?（CBZGO:0.01Bi3?）因Bi3?离子分别占据Ca位和Ba位，呈现570 nm和393 nm两个明显发射峰?；谘《ㄎ坏阏季莶呗?，通过改变Bi3?掺杂浓度和激发波长实现了CBZGO:Bi3?荧光粉的光学调控。不同的是，SrBaZn?Ga?O?:0.01Bi3?（SBZGO:0.01Bi3?）和Sr?Zn?Ga?O?:0.01Bi3?（SZGO:0.01Bi3?）荧光粉分别呈现单峰宽发射带（峰值600 nm和577 nm）。通过非对称光致发光光谱的高斯拟合和寿命分析，分别在SBZGO和SZGO基质中验证了两种不同的Bi3?占位。ABZGO:0.01Bi3?荧光粉的差异化发光行为应归因于质心位移、晶体场分裂和斯托克斯位移的协同效应。此外，变温光致发光光谱表明Sr2?取代Ca2?和Ba2?可有效提升ABZGO:0.01Bi3?荧光粉的热稳定性。针对CBZGO:0.01Bi3?荧光粉双发射峰对不同温度的响应差异，设计出在298 K具有良好相对灵敏度（Sr=1.453% K?1）的光学温度计。最终将SZGO:0.01Bi3?与BAM:Eu2?荧光粉及370 nm近紫外芯片组合，获得显色指数97.9、相关色温3932 K的WLED，证实SZGO:0.01Bi3?是近紫外WLED器件优异的黄橙色发光材料。本研究推动了通过阳离子取代实现光学调控的探索，为光学温度传感和WLED应用开发高性能发光材料提供了新思路。