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等离子体纳米结构附近的原子-光子纠缠

DOI：10.1140/epjp/s13360-020-00356-1 期刊：The European Physical Journal Plus 出版年份：2020 更新时间：2025-09-19 17:13:59
摘要： 我们研究了在静态磁场作用下，四能级双V型量子系统与等离子体纳米结构附近线偏振场之间的原子-光子纠缠现象。研究表明，磁光效应仅在原子靠近等离子体纳米结构时才会影响原子-光子纠缠。当量子系统置于等离子体纳米结构附近时，由于量子系统自发衰变的改变，原子-光子纠缠会增强。实验证明，在量子系统接近等离激元表面时，通过提高线偏振场强度可以增强纠缠度(DEM)。此外我们发现，在等离子体纳米结构附近，静态磁场对提高稳态DEM起主要作用——若无静态磁场存在，DEM将完全消失。最后研究表明，自由空间衰减率会破坏等离子体纳米结构附近的原子-光子纠缠。
作者： Mohsen Ghaderi Goran Abada，Mohammad Mahmoudib
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研究概述 实验方案

研究目的

研究在静态磁场存在下，四能级双V型量子系统与等离子体纳米结构附近的线偏振场之间的原子-光子纠缠。

研究成果

研究表明，当量子系统靠近等离子体纳米结构时，原子-光子纠缠会显著增强，其中静磁场和施加的场强起着关键作用。该纠缠对与纳米结构的距离敏感，并会被自由空间衰减率破坏。这项研究为利用等离子体纳米结构和外场控制量子纠缠提供了见解，在量子信息处理方面具有潜在应用价值。

研究不足

该研究属于理论层面，实际实施中可能面临精确控制量子系统与等离子体纳米结构间距、外加电场及磁场强度的挑战。静态磁场对等离子体的影响被认为可忽略不计，但在更强磁场下这一结论可能不成立。

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