研究目的
研究零磁场下自组织InP/GaInP量子点中复合费米子的分子态。
研究成果
该研究展示了在零磁场下InP/GaInP量子点中复合费米子分子的形成，为创建非磁性拓扑量子门提供了潜在应用。观测到光激发下复合费米子的配对与重排现象，为量子计算技术开辟了新途径。
研究不足
该研究的局限性在于近场扫描光学显微镜的技术限制以及测量光致发光光谱时的特定条件（低温和高磁?。?。潜在的优化方向包括显微镜的分辨率和检测系统的灵敏度。
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零磁场下自组织InP/GaInP量子点中复合费米子的分子态
DOI：10.1134/S1063782620020165
期刊：Semiconductors
出版年份：2020
更新时间：2025-09-23 15:19:57
摘要：
利用近场扫描光学显微镜确定了具有N=5-7个电子、维格纳-塞茨半径约2.5的单个InP/GaInP量子点在低温（10 K）下的线局域化区域尺寸与位置，以及其光致发光光谱随磁?。?-10 T）的变化关系。研究发现，在零磁场条件下当朗道能级填充因子为1/2至2/7时，会形成复合费米子分子，其尺寸与局域化区域相符，键长分别约为30和50纳米。当N=6时，观测到光激发下复合费米子的配对与重排现象，这为利用InP/GaInP量子点构建无磁场拓扑量子门提供了可能。
作者：
A. M. Mintairov
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