研究目的
通过动态阻抗和光输出测量来测定结温并评估氮化镓发光二极管（LED）的健康状况。
研究成果
该研究通过电学和光学小信号调制响应，展示了氮化镓（GaN）LED温度、健康状态及即将发生故障的新指标。研究发现高度灵敏的GaN LED温度预测因子，并为利用智能驱动器和光无线通信基础设施的现场健康监测技术奠定了基础。
研究不足
该研究承认，由于寄生电感的影响，高频测量的准确性可能会降低，导致在某些Zim和f值下进行测量不切实际。此外，研究建议需要进一步研究以将工作区缺陷的存在与电流偏置下的阻抗响应相关联。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用矢量网络分析仪（VNA）表征LED封装的动态光电响应。使用单端口反射法测量小信号阻抗随偏置电流和温度的变化关系，通过连接至第二端口的光电二极管同步检测光响应。
2：样品选择与数据来源：
测试了两款市售白色CSP氮化镓LED，去除荧光粉光转换层以露出裸芯片。
3：实验设备与材料清单：
矢量网络分析仪（VNA）、光电二极管、温控恒温器、微波探针、带银焊料的陶瓷基板。
4：实验流程与操作步骤：
通过恒温器控制结温，采用热瞬态测试法进行初步的结到壳热阻表征，在不同温度和偏置电流范围内测量小信号阻抗及光响应。
5：数据分析方法：
分析数据以揭示电学与光学响应的温度敏感参数，并论证非辐射电流与小信号阻抗的关联性。
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Vector network analyzer
Characterizing the dynamic optical and electrical responses of LED packages
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Photodiode
Enabling simultaneous optical response detection
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Thermostat
Controlling the temperature of the LED junction
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Microwave probe
Accessing the LEDs electrical contacts
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Ceramic substrates with silver solder
Providing low thermal resistance between the junction and the heat sink
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