研究目的
通过使用活性p型CZTS电极来提升n型垂直排列MoS2薄片光电探测器的近红外(NIR)性能。
研究成果
采用n型MoS2薄片和p型CZTS电极制备的光电探测器在可见光和近红外区域均展现出超高响应度和外量子效率，相比传统金属电极有显著提升。该器件还表现出长期稳定性和可重复性，有望成为下一代光电探测器的理想候选材料。
研究不足
该研究聚焦于近红外性能的提升，但未深入探索器件在其他波长下的优化或制备工艺的可扩展性。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用改进的化学气相沉积（CVD）装置合成边缘富集二硫化钼（MoS2）薄片，并通过共溅射技术制备p型铜锌锡硫（CZTS）电极，在可见光至近红外波段评估光电探测器性能。
2：样品选择与数据来源：
MoS2薄片在二氧化硅/硅（SiO2/Si）衬底上合成，CZTS电极通过物理掩模沉积于MoS2薄片表面。
3：实验设备与材料清单：
用于MoS2生长的CVD装置、CZTS沉积的磁控溅射仪、表征用的扫描电镜（SEM）与拉曼光谱仪、Bentham PVE(300)光电测试系统及单色仪(TM c300)、测量I-V和I-T数据的Keithley 6430源测量单元。
4：0)、测量I-V和I-T数据的Keithley 6430源测量单元。 实验流程与操作步骤：
4. 实验流程与操作步骤：依次完成MoS2薄片合成、CZTS电极沉积，随后对器件进行表征并测量不同条件下的光电探测器性能。
5：数据分析方法：
根据实测数据计算响应度、探测率及外量子效率等性能指标。
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Keithley 6430
6430
Keithley
Source measurement unit for I-V and I-T data
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SEM
Characterization of surface morphology
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Raman spectroscopy
Witec focus innovation
Phase identification and characterization
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Bentham PVE (300)
PVE (300)
Bentham
Photodetector performance measurement
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Monochromator
TMc 300
Wavelength selection for photodetector measurements
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