研究目的
通过缩小采用工业工具制造的6英寸全尺寸太阳能电池的规模,研究专为叠层应用定制的小面积钝化接触n型单晶多晶TM硅太阳能电池的制备工艺。
研究成果
研究表明,利用常规6英寸c-Si晶圆和工业级设备可实现小面积n型monoPolyTM c-Si太阳能电池的叠层应用,在截断AM1.5G光谱下分别获得33.0%和33.4%的转换效率。所制备的4T钙钛矿/硅叠层太阳能电池虽未经认证,但实现了24.9%的功率转换效率,该数值属于此类结构已报道的最高效率范畴之一。
研究不足
该研究提到了放大钙钛矿顶电池的挑战,例如均匀性和横向电导率,以及由于边缘复合损耗,从6英寸常规电池通过激光切割获得的小面积电池中存在显著的的开路电压和填充因子损失。
1:实验设计与方法选择:
本研究采用工业工具将6英寸全尺寸太阳能电池缩小为小面积电池。
2:样品选择与数据来源:
使用244.3平方厘米(M2)n型c-Si晶圆(厚度190微米,电阻率1-2欧姆厘米)。
3:3平方厘米(M2)n型c-Si晶圆(厚度190微米,电阻率1-2欧姆厘米)。
实验设备与材料清单:
3. 实验设备与材料清单:采用低压化学气相沉积(LPCVD)进行本征多晶硅沉积,磷扩散管式炉,配备21颗LED光源的I-V测量工具(Wavelabs Sinus-220)。
4:实验步骤与操作流程:
遵循monoPolyTM硅太阳能电池制备工艺,通过LPCVD沉积本征多晶硅层后进行磷扩散,形成掺杂多晶硅层。
5:数据分析方法:
利用I-V测量工具获取I-V特性,模拟多种任意光谱以预测钙钛矿和GaAs顶电池下c-Si底电池的性能。
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