研究目的
研究使用硅化钇作为硅太阳能电池的无掺杂电子选择性接触。
研究成果
由非晶硅氢(a-Si:H)与镱(Yb)在低温下反应形成的YbSix，是硅太阳能电池中无掺杂电子选择性接触的有前途候选材料，具有低J0,metal和ρc特性。MolYSili电池实现了17.0%的效率，并在湿热测试中展现出优异的热稳定性。
研究不足
该研究仅限于与基于氢化非晶硅的异质结电池技术兼容的低温工艺。自然界中镱的丰度可能限制其在大规模吉瓦级生产中的可扩展性。
1：实验设计与方法选择：
研究通过在i-a-Si:H钝化层上沉积Yb并进行低温退火形成YbSix，探究了Yb厚度、i-a-Si:H厚度及退火条件对接触特性的影响。
2：样品选择与数据来源：
采用双面制绒n型直拉（Cz）硅片，通过准稳态光电导法（QSSPC）进行少子寿命测量。
3：实验设备与材料清单：
设备包括用于a-Si:H沉积的等离子体增强化学气相沉积（PECVD）、用于Yb/Ag沉积的热蒸发系统以及用于硅化反应的快速热退火炉（RTA）。
4：实验流程与操作步骤：
工艺包含硅片清洗、a-Si:H沉积、Yb/Ag沉积、退火处理以及J0,metal和ρc参数表征。
5：数据分析方法：
分别通过QSSPC测量和双接触两端法提取J0,metal和ρc数值。
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获取完整内容-
Yb
Used as a low work function metal for forming YbSix contacts.
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Ag
Used as a contact metal in conjunction with Yb.
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i-a-Si:H
Passivation layer for silicon solar cells.
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MoOx
Used as a hole-selective contact material.
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