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铜纳米粒子阵列介导的III-V/Si集成:在串联太阳能电池中的应用

DOI:10.1021/acsaem.9b02519 期刊:ACS Applied Energy Materials 出版年份:2020 更新时间:2025-09-23 15:19:57
摘要: III-V族材料与晶体硅(c-Si)的集成是设计高性能光电器件(包括太阳能电池)的一条有前景的途径。我们此前利用独特的半导体键合技术(称为"智能堆叠")报道了高效III-V/Si叠层电池。传统智能堆叠电池中,钯纳米粒子(NP)阵列常被用作III-V与c-Si之间的键合介质;但从经济角度考虑,使用其他低成本金属更为理想。因此,本研究聚焦铜的可能性。我们采用聚苯乙烯-嵌段-聚2-乙烯基吡啶(PS-b-P2VP)基嵌段共聚物制备铜纳米粒子阵列:通过预载Cu2?离子的自组装PS-b-P2VP胶束起始,获得了理想的铜纳米粒子阵列。当将GaAs子电池堆叠在去除自然氧化层的c-Si子电池上形成的铜纳米粒子阵列上时,确认了良好的键合特性(低电阻界面)。采用InGaP/GaAs顶部子电池和c-Si底部子电池构成的三结结构,已实现高达25.9%的转换效率。通过热循环和湿热测试验证了铜纳米粒子阵列介导的智能堆叠电池的长期可靠性。因此,我们成功证实不仅钯,铜也能用于实现高效智能堆叠电池。
作者: Hidenori Mizuno,Kikuo Makita,Toshimitsu Mochizuki,Takeshi Tayagaki,T Sugaya,Hidetaka Takato
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研究概述 实验方案 设备清单

探索经济型铜纳米粒子阵列在智能叠层电池中应用的可能性,以实现串联连接的高效III-V族材料/硅叠层太阳能电池。

该研究成功证明,铜纳米粒子阵列可用于实现高效III-V族材料叠层硅基太阳能电池,转换效率高达25.9%。通过热循环和湿热测试证实了这些电池的长期可靠性。通过优化顶部III-V子电池的厚度或带隙控制,并更精细地调节铜纳米粒子阵列,有望进一步提升性能。

研究发现,去除c-Si电池表面的原生氧化层对于实现与铜纳米颗粒阵列的低电阻智能堆叠界面至关重要。由于会形成不需要的微米级铜沉淀物,在无原生氧化层的c-Si表面制备铜纳米棒阵列具有难度。

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