研究目的
通过隧道结（TJ）研究n型GaN盖层在多量子壳（MQSs）和纳米线上的嵌入式生长，以改善电流向MQSs的m平面的注入。
研究成果
在MQS/纳米线结构上实现n-GaN盖层嵌入式生长的最佳条件为：极低的V/III比20、中等生长温度800°C以及700纳米的MQS/纳米线结构高度。这些条件能有效抑制空洞形成和镁扩散，有望实现MQS激光器。
研究不足
该研究仅限于MOVPE生长的特定条件以及GaInN/GaN多量子阱和纳米线的特殊结构。这些发现可能无法直接适用于其他材料或生长方法。
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GaN/InGaN多量子壳层LED上n型GaN盖层的金属有机气相外延生长
DOI：10.1016/j.jcrysgro.2020.125571
期刊：Journal of Crystal Growth
出版年份：2020
更新时间：2025-09-23 15:19:57
摘要：
通过隧道结（TJ）研究了n型GaN盖层在多量子壳（MQSs）和纳米线上的嵌入式生长，以改善电流向MQSs m平面的注入。系统研究了n-GaN盖层的不同生长条件，以抑制Mg扩散和空洞形成——这是该结构中的严重问题。在900°C及以上的高温下，半极性r平面上的生长速率降低，由于Ga原子从r平面扩散到m平面，纳米线底部形成了大空洞。当生长温度降至800°C时，m平面和r平面上的生长速率均增加，空洞尺寸减小。同时，由于800°C的低温生长，Mg扩散也消失了。研究发现，在低温下采用极低的V/III比（20）进行生长可提高m平面上的横向生长速率，当MQS高度为700 nm或更低时，空洞形成完全被抑制。
作者：
Nanami Goto，Naoki Sone，Kazuyoshi Iida，Weifang Lu，Atsushi Suzuki，Hideki Murakami，Mizuki Terazawa，Masaki Ohya，Satoshi Kamiyama，Tetsuya Takeuchi，Motoaki Iwaya，Isamu Akasaki
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