研究目的
研究n型4H-SiC经193纳米ArF准分子激光辐照后产生的石墨烯片层的表面缺陷类型、密度及相关电学特性改变。
研究成果
研究表明,通过调节激光能量密度和脉冲次数,可以调控激光诱导石墨烯的表面缺陷密度与类型,从而显著影响石墨烯与4H-SiC之间的界面传输特性。该发现为优化激光诱导石墨烯在电子器件中的应用奠定了基础。
研究不足
本研究仅限于分析4H-SiC上激光诱导石墨烯的表面缺陷,未探讨其他基底或激光类型的影响。实验条件特定于真空和室温环境,可能无法代表所有可能的操作环境。
研究目的
研究n型4H-SiC经193纳米ArF准分子激光辐照后产生的石墨烯片层的表面缺陷类型、密度及相关电学特性改变。
研究成果
研究表明,通过调节激光能量密度和脉冲次数,可以调控激光诱导石墨烯的表面缺陷密度与类型,从而显著影响石墨烯与4H-SiC之间的界面传输特性。该发现为优化激光诱导石墨烯在电子器件中的应用奠定了基础。
研究不足
本研究仅限于分析4H-SiC上激光诱导石墨烯的表面缺陷,未探讨其他基底或激光类型的影响。实验条件特定于真空和室温环境,可能无法代表所有可能的操作环境。
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