研究目的
研究全无机CsPbI2Br钙钛矿太阳能电池中晶格应变与δ相抑制之间的关系。
研究成果
研究表明,晶格应变程度是抑制全无机CsPbI2Br钙钛矿太阳能电池中δ相生长的关键因素。通过控制钙钛矿薄膜生长过程中的应变,完全抑制了非钙钛矿相的出现,改善了薄膜内部的有序晶体生长,实现了具有垂直平面生长的钙钛矿薄膜。这一发现为无机钙钛矿晶体生长提供了新见解,对高性能全无机钙钛矿太阳能电池具有重要价值。
研究不足
该研究聚焦于CsPbI2Br钙钛矿薄膜,可能不直接适用于其他钙钛矿组分。原位GIWAXS技术需要专业设备,在部分研究环境中可能不易获取。
1:实验设计与方法选择:
采用原位掠入射广角X射线散射(GIWAXS)技术,研究全无机CsPbI2Br钙钛矿薄膜在不同加工温度下的时间分辨结构转变。
2:样品选择与数据来源:
制备了不同加工温度(室温、45℃、50℃、55℃、60℃)的CsPbI2Br钙钛矿薄膜。
3:5℃、50℃、55℃、60℃)的CsPbI2Br钙钛矿薄膜。
实验设备与材料清单:
3. 实验设备与材料清单:使用带有Kapton窗口的密封箱,用于入射X射线和衍射X射线,该箱体可连续加热并充入氮气,用于样品退火和观察。
4:实验步骤与操作流程:
样品以0.40°的入射角接受X射线辐照。通过MarCCD探测器在距离样品约310 mm处,以1秒曝光时间获取二维XRD图谱。
5:40°的入射角接受X射线辐照。通过MarCCD探测器在距离样品约310 mm处,以1秒曝光时间获取二维XRD图谱。
数据分析方法:
5. 数据分析方法:使用FIT2D软件分析XRD图谱,并以散射矢量q坐标展示。
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