研究目的
研究I-V-VI族半导体纳米晶体的合成、组成及尺寸控制，以应用于光伏、热电和相变存储器件。
研究成果
该研究成功展示了具有可控组成和尺寸的亚10纳米I-V-VI族硒化物纳米晶的合成方法，其高吸收系数和可调带隙特性凸显了其在红外应用中的潜力。
研究不足
该合成过程需要对反应条件进行精确控制，以避免副产物并实现窄的尺寸分布。纳米晶体在环境条件下易被氧化。
1：实验设计与方法选择：
合成过程采用金属卤化盐和硒前驱体，在油胺与十二硫醇混合体系中实现组分与尺寸调控。
2：样品选择与数据来源：
使用金属卤化盐（碘化银、三氯化锑、氯化铜、三氯化铋）与硒粉作为前驱体。
3：实验设备与材料清单：
透射电子显微镜（JEOL JEM-1400 Plus）、能谱仪（FEI Quanta 200 FEG）、X射线衍射仪（Rigaku SmartLab）、分光光度计（Agilent Cary 5000）。
4：实验流程与操作步骤：
将金属卤化盐溶于油胺后，在控温条件下注入硒前驱体，通过快速冷却或稀释终止反应。
5：数据分析方法：
采用能谱仪定量组分，透射电镜分析尺寸及分布，X射线衍射测定晶体结构，分光光度计测试光学性能。
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JEM-1400 Plus
JEOL
Transmission electron microscopy for size and size distribution analysis
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Quanta 200 FEG
FEI
Energy dispersive X-ray spectroscopy for composition quantification
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SmartLab
Rigaku
X-ray diffraction for crystal structure analysis
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Cary 5000
Agilent
Photospectrometry for optical absorption analysis
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Agilent 5500
Agilent
Atomic force microscopy for thickness and continuity measurement of thin films
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