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高性能垂直排列KNN纳米线阵列的铁电性能与相变(采用脉冲激光沉积法制备)

DOI:10.1016/j.physe.2020.114143 期刊:Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 出版年份:2020 更新时间:2025-09-23 15:19:57
摘要: 采用脉冲激光沉积法(PLD)在Pt/TiO?/SiO?/Si衬底上合成了K?.?Na?.?NbO?(KNN)压电纳米线阵列。通过采用与先前报道不同的两种沉积条件,成功制备了这些阵列。X射线衍射分析确认其具有正交晶系结构并存在少量次相。压电力显微镜测试证实了铁电性与压电性,显示该纳米线阵列的有效压电系数d??eff分别达到94.6 pm/V和133.6 pm/V,高于既往报道数值。利用脉冲激光光声技术分析相变温度,显示在约170°C发生O-T相变,在约360°C发生T-C相变,均低于块体陶瓷的相应温度。此外还检测到微量次生铁电相(K?Nb?O??)的存在。
作者: E. Benítez,R. Casta?eda-Guzmán,R. López-Juárez,O. Depablos-Rivera,J.J. Gervacio-Arciniega
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研究概述 实验方案 设备清单

利用脉冲激光光声技术研究KNN纳米线阵列在加热过程中的铁电性能和结构变化。

通过脉冲激光沉积法(PLD)在两种不同沉积条件下,成功在Pt(111)/TiO2/SiO2/Si衬底上生长出高性能垂直排列铌酸钾钠纳米线阵列(KNN NWAs)。该纳米线阵列呈正交晶系结构并含有少量次相。压电力显微镜(PFM)测量证实了纳米线阵列具有高压电性,其压电系数较高。相位激光分析(PLPA)技术对相变的研究表明,K2样品的两个相变温度均低于块体铌酸钾钠陶瓷文献报道值。

K1中(O-T)相变的缺失可能是由于水蒸发信号叠加所致。次生相的存在可能影响压电性能。

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