研究目的
提出一种基于物理的紧凑建模方法,将总电离剂量(TID)和应力诱导缺陷的影响纳入金属氧化物半导体(MOS)器件与集成电路(IC)的仿真中。
研究成果
所提出的基于物理的紧凑建模方法能准确描述总电离剂量(TID)和应力诱导缺陷对MOS器件及集成电路的影响。该方法与现代MOSFET紧凑建模技术兼容,并已通过TCAD仿真和实验数据验证。
研究不足
该建模方法仅适用于MOS器件和集成电路,其准确性取决于缺陷密度的正确性以及表面势计算结果。
研究目的
提出一种基于物理的紧凑建模方法,将总电离剂量(TID)和应力诱导缺陷的影响纳入金属氧化物半导体(MOS)器件与集成电路(IC)的仿真中。
研究成果
所提出的基于物理的紧凑建模方法能准确描述总电离剂量(TID)和应力诱导缺陷对MOS器件及集成电路的影响。该方法与现代MOSFET紧凑建模技术兼容,并已通过TCAD仿真和实验数据验证。
研究不足
该建模方法仅适用于MOS器件和集成电路,其准确性取决于缺陷密度的正确性以及表面势计算结果。
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