研究目的
研究在金电极上使用含嘧啶的自组装单分子层以降低二维半导体薄膜晶体管中的接触电阻。
研究成果
通过采用偶极自组装单分子层（SAMs）进行电极功函数工程，成功实现了金（Au）底电极与二硫化钼（MoS2）之间接触电阻的最小化。对于最佳匹配的SAMs，与裸露金参考电极相比，接触电阻降低了两个数量级以上。这使得晶体管的开/关比提高了两个数量级以上，表观线性迁移率也提升了一个数量级以上。
研究不足
该研究强调了SAM处理对降低注入势垒的影响，但指出控制某些界面特性的界面过程具有复杂性。二硫化钼的电子亲和能精确值既取决于层数，也受特定薄片可能的掺杂影响。
1：实验设计与方法选择：
该研究采用底栅底接触架构的晶体管基底，通过芳香族自组装单分子层（SAMs）调控电极功函数。
2：样本选择与数据来源：
二硫化钼（MoS2）薄片通过微机械剥离法制备，并与晶体管基底对齐。
3：实验设备与材料清单：
包括参数分析仪、开尔文探针力显微镜（KPFM）系统及经SAM处理的金电极。
4：实验流程与操作步骤：
通过将样品浸入乙醇溶液进行SAM处理，随后在器件运行期间进行电学表征和KPFM测量。
5：数据分析方法：
采用拟合方法从电学输出特性和转移特性中提取接触电阻的欧姆与非线性分量。
独家科研数据包，助您复现前沿成果，加速创新突破
获取完整内容-
electrical microprobes
PH150
Suess Micro Tec
Contacting samples for electrical measurements
-
SourceMeter
2636A
Keithley
Electrical measurements performed simultaneously with KPFM
-
parametric analyzer
mb technologies
Electrical characterization of the transistors
-
Kelvin probe force microscopy (KPFM) systems
MFP3D and AIST-NT
Asylum research
Direct mapping of the potential drop across the channel during device operation
-
登录查看剩余2件设备及参数对照表
查看全部
