研究目的
探索在SiNx/多晶硅钝化接触中使用具有高正固定电荷的超薄氮化硅(SiNx)薄膜以提高太阳能电池的钝化性能和效率潜力的可能性。
研究成果
高度钝化的超薄SiNx LPCVD薄膜可在隧穿机制下沉积，非常适合用于钝化接触结构，潜在效率超过22.5%。通过空气环境退火的OH终止SiNx实现了优化后超过22.75%的潜在效率。
研究不足
该研究尚属初步阶段，需进一步探究以明确所观察现象（如针孔形成有助于载流子移动）的成因。
1：实验设计与方法选择：
优化了膜厚、退火条件和表面预处理等影响钝化性能的因素。
2：样品选择与数据来源：
采用n型CZ直拉法单晶硅片，经标准RCA清洗及表面处理。
3：实验设备与材料清单：
用于沉积SiNx的LPCVD系统、光谱椭偏仪、高分辨透射电镜（HRTEM）、傅里叶变换红外光谱仪（FTIR）。
4：实验流程与操作步骤：
沉积SiNx薄膜，在不同气氛中退火，表征钝化质量，并集成至SiNx/n+多晶硅接触结构。
5：数据分析方法：
测量有效少数载流子寿命、隐含开路电压、复合电流密度及隧穿电阻。
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获取完整内容-
LPCVD system
Deposition of silicon nitride (SiNx) films
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spectroscopic ellipsometer
Measurement of film thickness and optical properties
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HRTEM
High-resolution transmission electron microscopy for interface analysis
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FTIR
Fourier-transform infrared spectroscopy for chemical bond analysis
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