研究目的
制备一种嵌入聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)基体中的CH3NH3PbBr3钙钛矿量子点存储器器件,并研究其用于非易失性存储应用的电阻开关现象。
研究成果
基于嵌入聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)基质薄膜中的CH3NH3PbBr3量子点制备的阻变存储器展现出优异的双极型电阻开关特性,其中欧姆传导和空间电荷限制电流(SCLC)传导机制分别主导低阻态(LRS)与高阻态(HRS)区域。钙钛矿基非易失性存储器具有广阔的发展前景。
研究不足
钙钛矿材料在大气环境中的稳定性是其实现商业化应用的主要障碍,因为它们易受湿度影响。
1:实验设计与方法选择:
本研究采用配体辅助再沉淀(LARP)法合成CH3NH3PbBr3量子点,并将其嵌入PMMA基质中。存储器器件结构为Au/CH3NH3PbBr3-PMMA/ITO。
2:样品选择与数据来源:
将前驱体CH3NH3Br和PbBr2与正辛胺、油酸一起溶解于无水N,N-二甲基甲酰胺中进行量子点合成。
3:实验设备与材料清单:
用于薄膜沉积的旋涂机、用于金电极沉积的溅射系统以及用于图案化的阴影掩模。
4:实验步骤与操作流程:
合成量子点并与PMMA溶液混合,旋涂至ITO基底上,顶部溅射金电极。
5:数据分析方法:
通过测量电流-电压特性分析阻变行为,并通过对数坐标绘图分析导电机制。
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