研究目的
研究基于InGaAs/InGaAlAs超晶格有源区的激光异质结构在1535至1565纳米光谱范围内工作的激光二极管的光学增益。
研究成果
基于超晶格的有源区在相同泵浦电流密度下比基于七个量子阱的有源区表现出更高的增益。这表明在长波长垂直腔面发射激光器中使用短周期超晶格有源区可能带来更好的动态特性和更低的阈值电流。
研究不足
该研究仅限于工作在1535至1565纳米光谱范围内的激光二极管。比较仅针对基于量子阱和超晶格的有源区,未探讨其他潜在有源区设计方案。
研究目的
研究基于InGaAs/InGaAlAs超晶格有源区的激光异质结构在1535至1565纳米光谱范围内工作的激光二极管的光学增益。
研究成果
基于超晶格的有源区在相同泵浦电流密度下比基于七个量子阱的有源区表现出更高的增益。这表明在长波长垂直腔面发射激光器中使用短周期超晶格有源区可能带来更好的动态特性和更低的阈值电流。
研究不足
该研究仅限于工作在1535至1565纳米光谱范围内的激光二极管。比较仅针对基于量子阱和超晶格的有源区,未探讨其他潜在有源区设计方案。
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