研究目的
研究极化电荷对载流子浓度影响下,电子泄漏对AlxGa(1?x)N/GaN紫外发光二极管效率下降的影响。
研究成果
研究表明,电子泄漏是导致AlxGa(1?x)N/GaN紫外LED效率下降的重要因素,较高的泄漏参数会引发更大的漏电流并降低内量子效率。建议通过最小化极化效应来缓解效率下降问题。
研究不足
该研究基于理论建模与计算分析,可能无法完全反映LED在实际工况下的所有性能表现。除电子泄漏外,其他非辐射复合机制的影响尚未深入探究。
研究目的
研究极化电荷对载流子浓度影响下,电子泄漏对AlxGa(1?x)N/GaN紫外发光二极管效率下降的影响。
研究成果
研究表明,电子泄漏是导致AlxGa(1?x)N/GaN紫外LED效率下降的重要因素,较高的泄漏参数会引发更大的漏电流并降低内量子效率。建议通过最小化极化效应来缓解效率下降问题。
研究不足
该研究基于理论建模与计算分析,可能无法完全反映LED在实际工况下的所有性能表现。除电子泄漏外,其他非辐射复合机制的影响尚未深入探究。
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