研究目的
通过氧等离子体处理提升SnS2薄片的光电性能，从而实现更优的宽带光电探测与光响应率。
研究成果
经O2等离子体处理的SnS2光电探测器展现出宽光谱响应及优异的光电转换能力，在光响应度、外量子效率、探测率和光开关响应方面均表现出显著提升。该技术为光电子学应用提供了新平台。
研究不足
该研究聚焦于通过氧等离子体处理提升SnS?光电探测器性能，但未涉及该处理方法在晶圆级应用中的长期稳定性和可扩展性。
1：实验设计与方法选择：
采用氧等离子体处理以增强SnS?薄片的光电性能。处理过程中使用低功率等离子体以避免对SnS?晶体结构造成显著损伤。
2：样品选择与数据来源：
通过机械剥离法将多层单晶SnS?薄片转移至300 nm厚的SiO?衬底上。
3：实验设备与材料清单：
光学显微镜（奥林巴斯BX51）、原子力显微镜、X射线衍射仪（布鲁克D2 PHASER）、X射线光电子能谱仪（赛默飞世尔科技ESCALab250）、共聚焦拉曼/光致发光光谱仪（WITec Alpha 300R）、激光光源（Energetiq LDLS EQ-1500）、硅光电二极管、探针台（Lake Shore CRX-6.5K）、半导体测试系统（吉时利4200-SCS和2400）。
4：1）、原子力显微镜、X射线衍射仪（布鲁克D2 PHASER）、X射线光电子能谱仪（赛默飞世尔科技ESCALab250）、共聚焦拉曼/光致发光光谱仪（WITec Alpha 300R）、激光光源（Energetiq LDLS EQ-1500）、硅光电二极管、探针台（Lake Shore CRX-5K）、半导体测试系统（吉时利4200-SCS和2400）。 实验流程与操作步骤：
4. 实验流程与操作步骤：氧等离子体处理参数为：反应离子刻蚀功率15 W、等离子体压力0.1 mbar、氧气流速20 sccm、射频频率40 kHz。在350至900 nm波长范围内探究光电探测特性。
5：1 mbar、氧气流速20 sccm、射频频率40 kHz。在350至900 nm波长范围内探究光电探测特性。 数据分析方法：
5. 数据分析方法：采用特定公式计算器件的响应度（Rλ）、外量子效率（EQE）和探测率（D*）。
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probe station
CRX-6.5K
Lake Shore
Used to quantify the optoelectrical performance.
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semiconductor test system
4200-SCS and 2400
Keithley
Used for electrical and photoelectrical evaluations.
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optical microscope
BX51
Olympus
Used to identify the SnS2 flakes.
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AFM
Icon
Bruker
Used to probe the thickness of the few-layers SnS2.
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X-ray diffractometer
D2 PHASER
Bruker
Used for characterization of the SnS2 flakes.
立即获取同款设备 -
X-ray photoelectron spectroscopy equipment
ESCALab250
Thermo Fisher Scientific
Used for chemical formation and modification analysis.
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confocal Raman/PL machine
Alpha 300R
WITec
Used for Raman and photoluminescence characterization.
暂无现货
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-
laser source
EQ-1500
Energetiq
Used as the incident light for photodetection.
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