研究目的
为开发高效TADF发光体HETBu,通过抑制强分子间相互作用导致的浓度猝灭效应,实现高EQE的TADF OLED。
研究成果
外围带有叔丁基单元的HETBu发射体在TADF器件中以极低的1%掺杂浓度实现了高达32.6%的外量子效率(EQE)和超过100流明/瓦的高功率效率。该设计有效抑制了浓度猝灭并延长了器件寿命,性能优于先前的发射体如HAP-3TPA。
研究不足
该研究聚焦于抑制TADF OLED中的浓度猝灭效应,但未深入探讨合成工艺在大规模工业应用中的可扩展性或成本效益。
研究目的
为开发高效TADF发光体HETBu,通过抑制强分子间相互作用导致的浓度猝灭效应,实现高EQE的TADF OLED。
研究成果
外围带有叔丁基单元的HETBu发射体在TADF器件中以极低的1%掺杂浓度实现了高达32.6%的外量子效率(EQE)和超过100流明/瓦的高功率效率。该设计有效抑制了浓度猝灭并延长了器件寿命,性能优于先前的发射体如HAP-3TPA。
研究不足
该研究聚焦于抑制TADF OLED中的浓度猝灭效应,但未深入探讨合成工艺在大规模工业应用中的可扩展性或成本效益。
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