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基于直流电流母线分布式电源系统结构的多通道恒流LED驱动器分析与设计

DOI：10.1049/iet-pel.2019.0203 期刊：IET Power Electronics 出版年份：2020 更新时间：2025-09-23 15:21:01
摘要： 本文系统研究了阳极凹槽对200毫米硅衬底上无金AlGaN/GaN门控边缘终端肖特基势垒二极管（GET-SBDs）反向漏电流、正向电压（VF）及动态特性的影响。通过增加阳极凹槽的原子层刻蚀（ALE）循环次数，我们发现：1）由于GET区域对沟道夹断的静电控制更优，反向漏电流得到显著抑制——经六次ALE循环处理的GET-SBDs实现了约1 nA/mm的中值漏电流和超过10^8的ION/IOFF比；2）考虑晶圆统计分布后，正向电压（约1.3 V）几乎不受ALE循环次数影响；3）当剩余AlGaN势垒层变得极薄时（如六次ALE循环情况），由于剩余AlGaN厚度与表面质量控制难度增大，主要源自GET区域的导通电阻可能出现离散；4）脉冲I-V特性测试显示GET-SBDs的动态正向电压对ALE工艺依赖性较弱，但动态导通电阻表现出更强的ALE工艺相关性。
作者： Jie Hu，Steve Stoffels，Silvia Lenci，Brice De Jaeger，Nicolò Ronchi，Andrea Natale Tallarico，Dirk Wellekens，Shuzhen You，Benoit Bakeroot，Guido Groeseneken，Stefaan Decoutere
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

研究阳极凹槽对200毫米硅衬底上无金AlGaN/GaN肖特基势垒二极管（采用门控边缘终端技术，即GET-SBDs）的反向漏电流、正向电压（VF）及动态特性的影响。

研究成果

该研究表明，通过增加阳极凹蚀循环次数来增强GET区域的静电控制，GET-SBD架构的渐变反向漏电流逐渐降低。经过更多原子层蚀刻（ALE）循环的GET-SBD器件实现了约1 nA/mm的中值漏电流和1.3 V的正向电压。研究还发现，由于ALE工艺的影响，导通状态特性存在差异，当采用六个ALE循环时，VF和RON的离散程度更大。

研究不足

该研究仅限于在200毫米硅衬底上采用栅极边缘终端的无金AlGaN/GaN肖特基势垒二极管。未研究阳极凹陷对其他类型二极管或衬底的影响。

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