研究目的
研究SiC衬底上外延生长的石墨烯在磁场作用下的太赫兹光电导特性，以理解电子密度、偏置电流和太赫兹辐射强度对光响应信号幅度的影响。
研究成果
研究表明，在磁场作用下外延石墨烯的光电导信号显著增强，这归因于电子-电子散射的抑制。该发现表明石墨烯在太赫兹探测器和测辐射热计中具有潜在应用价值。
研究不足
该研究受限于液氦温度条件及最大5.5特斯拉的磁场强度，未探究更高温度与磁场的影响。
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磁场中石墨烯的太赫兹光电导率
DOI：10.1134/S106378262004020X
期刊：Semiconductors
出版年份：2020
更新时间：2025-09-23 15:21:01
摘要：
研究了生长在SiC衬底上的外延石墨烯在磁场中的太赫兹光电导特性。通过改变电子密度、偏置电流和太赫兹辐射强度，考察了光响应信号幅度的磁场依赖性。实验结果与基于太赫兹辐射加热电子的光电导机制高度吻合。观测到随着磁场增强，由于电子-电子散射受到抑制导致弛豫时间延长，光电导信号显著增强。
作者：
Yu. B. Vasiliev，S. N. Novikov，S. N. Danilov，S. D. Ganichev
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