研究目的
通过Al2O3钝化全III-V族材料在Ge衬底上的多结太阳能电池器件,使限流单元中的液晶效应均匀化。
研究成果
通过原子层沉积(ALD)技术,商业级锗基三结太阳能电池(III-V on Ge 3JSCs)表面成功实现了非侵入式Al2O3钝化薄层沉积。结果表明:在限制单元的InGaP/GaAs/Ge三结电池中,Al2O3侧壁钝化能使光生电流均匀性提升约7.2%。此外,与未设置侧壁Al2O3层的样品相比,光限制GaAs中间电池通过横向载流子(LC)效应及直接激发产生的电流分别增加了约21.9%和16.3%。这些发现证实了边缘复合的减少,这对实现锗基多结太阳能电池(MJSCs)中电流生产的均匀性具有重要参考价值。
研究不足
该研究聚焦于侧壁钝化对多结太阳电池中液晶效应均匀性及电流收集的影响,但未涉及电池其他部分可能存在的光学损耗或电学损耗。Al2O3钝化的有效性可能因不同的多结太阳电池设计或材料而异。
1:实验设计与方法选择:
本研究采用原子层沉积(ALD)技术在商用III-V族/锗多结太阳电池(MJSC)样品的侧壁沉积Al2O3以实现边缘缺陷钝化,并通过激光诱导电流(LBIC)成像技术评估样品性能。
2:样品选择与数据来源:
使用商用InGaP/GaAs/Ge三结太阳电池(3JSC)样品,部分样品进行Al2O3侧壁钝化处理,其余作为未处理的参照组。
3:实验设备与材料清单:
用于Al2O3沉积的ALD设备、配备785纳米和450纳米激光的LBIC测试系统,以及样品制备用硅掩模。
4:实验流程与操作步骤:
通过ALD在MJSC侧壁沉积Al2O3后,采用LBIC成像技术评估直接激发和光生载流子收集(LC)效应条件下GaAs中间电池的电流收集情况。
5:数据分析方法:
根据LBIC测量数据计算电流收集的归一化标准偏差,以及参照组与钝化样品间特定参数的百分比差异。
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