研究目的
利用LEIPS和UPS结合GCIB进行原位分析及深度剖析,以评估OLED材料的电子能带结构,特别是有机材料的电离势和电子亲和能。
研究成果
利用LEIPS与UPS结合GCIB技术,成功实现了对C60薄膜HOMO和LUMO能级在深度方向上的精确测定。该方法可可靠评估OLED材料的未占据态,对研究多层薄膜界面具有重要意义。
研究不足
该研究聚焦于特定样本(金/氧化铟锡/玻璃基底上的C60薄膜),若未经进一步验证,可能无法直接适用于其他有机材料或器件结构。
研究目的
利用LEIPS和UPS结合GCIB进行原位分析及深度剖析,以评估OLED材料的电子能带结构,特别是有机材料的电离势和电子亲和能。
研究成果
利用LEIPS与UPS结合GCIB技术,成功实现了对C60薄膜HOMO和LUMO能级在深度方向上的精确测定。该方法可可靠评估OLED材料的未占据态,对研究多层薄膜界面具有重要意义。
研究不足
该研究聚焦于特定样本(金/氧化铟锡/玻璃基底上的C60薄膜),若未经进一步验证,可能无法直接适用于其他有机材料或器件结构。
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