研究目的
采用精确的第一性原理计算方法,研究不同组分In掺杂对GaTe的结构特性、电子结构以及光学性质的影响。
研究成果
研究表明,由于Ga1?xInxTe三元合金的结构、电子和光学特性,它们是光电器件、辐射探测器和微电子工具的有前途的候选材料。随着铟成分的增加,这些合金在光谱中表现出红移现象,并且各向异性降低。
研究不足
该研究仅限于理论计算,未包含实验验证。由于单斜晶系与四方晶系的对称性不同,二者光学系数之间的比较意义不大。
研究目的
采用精确的第一性原理计算方法,研究不同组分In掺杂对GaTe的结构特性、电子结构以及光学性质的影响。
研究成果
研究表明,由于Ga1?xInxTe三元合金的结构、电子和光学特性,它们是光电器件、辐射探测器和微电子工具的有前途的候选材料。随着铟成分的增加,这些合金在光谱中表现出红移现象,并且各向异性降低。
研究不足
该研究仅限于理论计算,未包含实验验证。由于单斜晶系与四方晶系的对称性不同,二者光学系数之间的比较意义不大。
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