研究目的
根据机械加载的尺度（尤其是极小尺度）总结代表性半导体和激光单晶的变形与去除特性，并基于高分辨率透射电镜分析获得的证据，对其去除机制进行批判性检验。
研究成果
该综述表明，从纳米压痕和纳米划痕研究中获得的变形与去除机制知识可用于优化半导体和激光单晶的磨削工艺，这有助于改善其表面光洁度并降低制造成本。
研究不足
本综述聚焦于极小尺度下的变形与去除机制，由于化学机械抛光（CMP）过程具有化学增强材料去除的特性，因此未涵盖该过程中的变形与去除问题。
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半导体和激光单晶在极小尺度下的变形与去除
DOI：10.1088/2631-7990/ab7a2a
期刊：International Journal of Extreme Manufacturing
出版年份：2020
更新时间：2025-09-23 15:21:01
摘要：
半导体和激光单晶通常具有脆硬特性，在应用前需经过研磨以达到令人满意的表面完整性和尺寸精度。提升研磨后晶体的表面完整性可缩短后续抛光工序时间，从而降低制造成本。为这些晶体开发经济高效的研磨技术，需要深入理解其变形与去除机理。因此，过去二三十年间大量研究工作聚焦于该课题。本综述旨在根据机械载荷尺度（尤其是极小尺度）总结代表性半导体和激光单晶的变形与去除特征，基于高分辨透射电镜分析获得的证据对其去除机理进行批判性检验，并探讨加工条件与去除行为的关系，为进一步推进这些晶体的研磨技术提供指导。
作者：
Yueqin Wu，Dekui Mu，Han Huang
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