研究目的
研究原子级精确的石墨烯纳米带(GNRs)在器件结构中的量子点行为及其在器件集成过程中电子结构的保持情况。
研究成果
该研究成功展示了利用亚5纳米石墨烯结将短5-原子级宽度石墨烯纳米带集成到器件结构中,在室温下观察到类金属的电流-电压特性曲线,并在13K温度下呈现单电子晶体管行为。研究结果验证了采用石墨烯电极连接超小尺寸石墨烯纳米带的可行性,同时凸显了基于石墨烯纳米带电子器件的应用前景。
研究不足
观察到的高电阻可能源于石墨烯纳米带(GNRs)与石墨烯电极之间的弱耦合,这归因于石墨烯/GNR界面处存在隧穿势垒。样品间的差异也可能与纳米带的长度以及桥接间隙的纳米带数量不同有关。