研究目的
详细描述MRED的结构以及用于模拟电子器件和电路中辐射效应的物理过程仿真实现方法，并展示其预测和描述电子电路及器件辐照相关基本物理现象的能力。
研究成果
MRED具备多种经过验证的仿真与分析功能，可助力计算微电子材料与器件中的能量沉积与输运过程。相较于传统方法，结合MRED仿真与针对性实验测试，能为太空环境中的各类器件与集成电路提供更精确的误差率计算结果。
研究不足
提供的文本中未明确提及实验的技术和应用限制，以及潜在的优化领域。
该方法采用MRED——一款基于Geant4的C++代码并附加用于高精度模拟电子输运和核反应的Fortran组件的Python语言可编程计算机应用程序，用于模拟辐射输运。论文阐述了MRED包含的物理过程及一系列选定应用，包括单粒子辐射效应、剂量增强效应和位移损伤效应。
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获取完整内容-
MRED
9.6
Vanderbilt University
Simulates radiation transport and effects in electronic devices and circuits.
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Geant4
9.6
CERN
Provides the physics and geometry code for MRED.
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PENELOPE
2008
Universitat de Barcelona
Simulates electron transport with high precision.
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CEM03
3.03
Los Alamos National Laboratory
Describes nuclear reactions for protons.
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LAQGSM
3.03
Los Alamos National Laboratory
Describes nuclear reactions for helium and all heavier nuclei.
-
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