研究目的
研究晶圆级二维PtS?/PtSe?异质结的制备及其高效宽带光电探测性能。
研究成果
该研究成功展示了二维PtS?/PtSe?异质结的晶圆级制备，其具备高效且宽波段的光电探测能力。这些异质结在红外波长下表现出高量子效率与快速响应特性，显示出未来光电子应用的潜力。
研究不足
异质结的响应时间受晶粒和缺陷态存在的影响，这可能抑制空穴和电子的传输。可通过进一步优化材料质量和生长工艺来提升性能。
1：实验设计与方法选择：
本研究通过化学气相沉积法合成PtS2/PtSe2异质结，并采用原子力显微镜（AFM）、拉曼光谱、X射线光电子能谱（XPS）、X射线衍射（XRD）、透射电子显微镜（TEM）和扫描透射电子显微镜（STEM）等技术进行表征。
2：样本选择与数据来源：
样品制备于SiO2/Si衬底上，通过硒化和硫化工艺将铂薄膜转化为PtS2和PtSe2。
3：实验设备与材料清单：
所用设备包括光学显微镜、扫描电子显微镜（SEM）、AFM、XPS、XRD、显微拉曼光谱仪、TEM和STEM；材料包括铂（Pt）、硫（S）、硒（Se）及SiO2/Si衬底。
4：实验步骤与操作流程：
该过程涉及光刻、电子束蒸发、热还原硫化及硒化以构建异质结。
5：数据分析方法：
采用维也纳从头算模拟软件包进行电子特性的理论模拟，并通过多种光谱技术进行材料表征分析。
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