研究目的
在Cu(110)单晶基底上制备高度有序氧化钨薄膜及其性质研究，重点关注该体系低维特性相关的新兴物理化学性质。
研究成果
该研究成功展示了在Cu(110)单晶基底上制备高度有序的氧化钨薄膜，揭示了与体系低维特性相关的独特物理化学性质。这一发现为制备基于氧化钨的功能化纳米结构开辟了新途径，并为其基础性质的进一步研究奠定了基础。
研究不足
该研究的局限性在于氧化钨薄膜制备与表征所采用的特定条件，包括使用Cu(110)单晶基底以及原子氧反应气氛。这些发现可能无法直接适用于其他基底或制备方法。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用物理气相沉积法，在原子氧反应气氛中于Cu(110)单晶基底上制备氧化钨薄膜。通过光电子能谱与密度泛函理论计算相结合的方法，研究了样品的结构和电子特性。
2：样品选择与数据来源：
使用宣称面倾角小于0.1°的Cu(110)单晶作为基底。该晶体在超高真空条件下经Ar+离子轰击循环与退火处理进行清洁。
3：1°的Cu(110)单晶作为基底。该晶体在超高真空条件下经Ar+离子轰击循环与退火处理进行清洁。 实验设备与材料清单：
3. 实验设备与材料清单：沉积过程采用三氧化钨粉末电子加热蒸发源、热气体裂解器(TC50)制备原子氧，并运用RHEED、LEED、STM、XPS和ARPES等多种表征工具。
4：实验流程与操作规范：
在400°C温度下，于反应性原子氧通量中向清洁的Cu(110)表面沉积氧化钨层。通过XPS测量的Cu 2p信号衰减确定薄膜厚度。
5：数据分析方法：
采用DFT计算对体系的几何结构、电子结构和电荷分布进行建模分析。光谱线采用伪沃伊特函数拟合，并从谱图中扣除Shirley型背景。
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Cu(1 1 0) single crystal
MaTecK
Substrate for the deposition of tungsten oxide thin films
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