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金属化后退火对Al?O?/GaN结构界面特性的影响

DOI：10.7567/APEX.11.124102 期刊：Applied Physics Express 出版年份：2018 更新时间：2025-09-23 15:21:01
摘要： 在本研究中，我们采用原子层沉积法制备的Al2O3，研究了后金属化退火（PMA）对GaN金属-氧化物-半导体（MOS）结构界面特性的影响。在300-400°C氮气环境下进行PMA后，MOS样品展现出无频率色散的优异电容-电压（C-V）特性。该PMA样品的状态密度最高仅为4×101? cm?1 eV?1。透射电镜图像的几何相位分析表明，PMA后Al2O3/GaN界面附近的晶格常数呈均匀分布，从而改善了界面沿线的键端配位和键序构型。
作者： Tamotsu Hashizume，Shota Kaneki，Tatsuya Oyobiki，Yuji Ando，Shota Sasaki，Kenya Nishiguchi
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

研究采用原子层沉积法制备的Al2O3对GaN金属-氧化物-半导体（MOS）结构进行后金属化退火（PMA）处理时界面特性的影响。

研究成果

在300-400°C下进行退火处理能显著改善Al2O3/GaN MOS结构的界面特性，降低界面态密度并产生无频率色散的优异C-V特性。退火后界面附近晶格常数的均匀分布表明键终止和键序构型得到优化。

研究不足

本研究仅限于采用原子层沉积（ALD）法制备的Al2O3/GaN结构，未探索其他沉积方法或材料。对于超过400°C温度下的退火后金属化（PMA）效应未进行研究。

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