研究目的
为了优化硅基3分贝耦合器的绝热性，以实现宽带操作和良好的工艺容差。
研究成果
通过逆向工程优化设计了一款性能稳健的硅基3分贝耦合器，该宽带器件具有良好的工艺容差。该优化方法还可应用于设计控制双态量子系统实现态相干叠加所需的时变拉比频率与失谐量。
研究不足
所设计的设备比一些替代方案更长，若要实现更短的设备则需要减小波导间距，这在制造方面可能会具有挑战性。
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基于逆向工程优化的稳健硅基3分贝耦合器
DOI：10.7567/JJAP.57.08PC01
期刊：Japanese Journal of Applied Physics
出版年份：2018
更新时间：2025-09-23 15:21:01
摘要：
我们提出一种优化方案，旨在提升硅基3分贝耦合器的宽带操作性能与工艺容差下的绝热性。通过基于不变量的逆向工程方法，我们在确保器件参数平滑的前提下，使系统演化过程尽可能接近绝热状态。采用该逆向工程优化方案后，获得了一款长度为125微米的硅基3分贝耦合器——其在1.4至1.7微米波长范围内最大不平衡度仅0.8分贝，且具备良好的工艺容差特性。优化后的波导宽度与间距分布均呈现平滑特性。
作者：
Hung-Ching Chung，Shuo-Yen Tseng
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