研究目的
展示空气稳定的MAPbI3纳米晶的合成及其在高灵敏度、自供电宽带光电探测器中的应用。
研究成果
该研究成功展示了空气稳定的MAPbI3纳米晶的合成及其在高性能自供电宽带光电探测器中的应用。该光电探测器在白光和近红外光照下均表现出增强的光传感性能，包括高响应度和比探测率。该器件在开放空气中展现出长达30天的优异稳定性，表明其具有实际应用潜力。
研究不足
光电探测器的响应时间受限于MAPbI3纳米晶上长链有机配体导致的电荷载流子捕获及载流子传输阻碍。该纳米晶的稳定性最高可达50°C，这可能限制其在高温环境中的应用。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用改良的配体辅助再沉淀（LARP）技术结合超声处理来合成MAPbI3纳米晶体。光电探测器采用ITO/MAPbI3/Ag结构制备，以利用电极功函数差异产生的内建电场。
2：样品选择与数据来源：
MAPbI3纳米晶体以碘化铅（II）和甲基碘化铵为前驱体制备。在不同光照条件下测量了光电探测器的性能。
3：实验设备与材料清单：
材料包括PbI2、CH3NH3I、正辛胺、油酸、乙腈和甲苯。设备包括Rigaku Ultima IV X射线衍射仪、场发射扫描电子显微镜（FESEM）、高分辨透射电子显微镜（HR-TEM JEM 2100）、紫外-可见-近红外分光光度计、荧光分光光度计以及Keithley 4200-SCS半导体表征系统。
4：CH3NH3I、正辛胺、油酸、乙腈和甲苯。设备包括Rigaku Ultima IV X射线衍射仪、场发射扫描电子显微镜（FESEM）、高分辨透射电子显微镜（HR-TEM JEM 2100）、紫外-可见-近红外分光光度计、荧光分光光度计以及Keithley 4200-SCS半导体表征系统。 实验流程与操作步骤：
4. 实验流程与操作步骤：合成过程通过超声处理和离心获得MAPbI3纳米晶体。光电探测器通过将纳米晶体溶液喷涂或滴涂在ITO基底上，随后真空干燥制备而成。
5：数据分析方法：
从不同光照条件下的响应度、比探测率和响应时间等方面分析了光电探测器的性能。
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HR-TEM
JEM 2100
JEOL
Used for studying the samples at high resolution.
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UV–vis–NIR spectrophotometer
UV-3600
Shimadzu
Used for analyzing the absorption spectra of the nanomaterials.
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Fluorescence spectrophotometer
F-4600
Hitachi
Used for measuring PL spectra of the samples.
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Semiconductor characterization system
Keithley 4200-SCS
Keithley
Used for measuring photodetector performance.
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Rigaku Ultima IV X-ray diffractometer
Ultima IV
Rigaku
Used for obtaining XRD patterns of the samples.
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FESEM
ZEISS SUPRA-55
ZEISS
Used for characterizing the morphology and structure of the CH3NH3PbI3 samples.
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